Thiết kế mạch cầu H để truyền động động cơ DC (trích lọc)
 

Mạch này em vẽ lại nhưng các điện trở R2,5,8,11 em ko biết giá trị có đúng ko ang namqn sử lại giúp e, 4 con zener D5,6,7,8 đều là 15V nhưng em ko biết mua ở chợ nói thế nào (chưa mua loại zener này)

Opto thì theo sphinx loại P521 ko đáp ứng được em cũng ko biết loại nào thì được.

http://i71.photobucket.com/albums/i1...an/Hbrigde.jpg

Khoan nói đến giá trị của các điện trở trong các mạch kích, mạch này nếu có chạy được thì hai MOSFET phía cao (high-side) nối với rail +24V sẽ bị nóng, và sẽ chạy ở vùng khuếch đại chứ không đóng ngắt như khóa/van.

Nếu em đã chọn tất cả các khóa đều là MOSFET kênh N thì chúng cần có 2 mạch kích cho phía cao, còn hai mạch kích cho phía thấp thì dễ dàng hơn. Một số vi mạch kích, chẳng hạn như IR2110 có một cặp driver dành cho phía cao và phía thấp. Nhưng nếu sử dụng các mạch kích loại này thì chúng ta sẽ không thể chỉ dùng một khóa để điều rộng xung, mà các khóa phải được đổi vai trò liên tục để cho mạch bootstrap của vi mạch kích nạp điện tích cho bộ kích phía cao.

Một giải pháp đơn giản hơn là chúng ta dùng các biến áp nhỏ để cấp nguồn cho các mạch kích, khi đó mạch sẽ cồng kềnh hơn, nhưng lại khả thi hơn đối với thị trường VN. Nếu dùng biến áp thì chúng ta sẽ cần có 3 cuộn thứ cấp nhỏ, cách ly với nhau, hay chúng ta cần có 3 biến áp nhỏ riêng biệt. Chú ý là biến áp phải có sơ cấp và thứ cấp hoàn toàn cách ly.

Dùng trực tiếp opto như vậy sẽ không thể kích nhanh được MOSFET, vì opto có giới hạn về khả năng/tỷ số truyền dòng (current transfer ratio).

Em chọn tiếp giải pháp cấp nguồn cho mạch kích đi, rồi chúng ta sẽ bàn tiếp.

À, cái hình của em post lên rất nhỏ, không thể đọc được thông số của linh kiện.

Thân,

- IR2110 có lẽ là khả thi đấy anh ạ, 21k/1em ở thị trường miền Bắc. Chỉ cần 2 con là đủ cho 1 cầu H.

- Nếu dùng cầu H loại PN có thể tham khảo mạch kích tần số cao ở trang ELM của một ông người Nhật (đã post rồi nhưng hình như ko ai chịu đọc):
http://elm-chan.org/works/smc/smc3.png
Ông ấy cũng làm DC Servo và các bạn có thể tham khảo thông tin tại địa chỉ này http://elm-chan.org/works/smc/report_e.html

Mạch kích này đã xuất hiện trong 1 số sách về điện tử công suất, tuy nhiên ở đây tác giả đã thêm vào phần điều khiển dead-time.
Khối kích FET đã được thử nghiệm, đo đạc, thay đổi thành phần cho phù hợp với điều kiện linh kiện ở ta, các bạn có j thắc mắc cứ đặt câu hỏi.

Em vẽ nhầm 2 con fet kênh P. Đúng sẽ là như hình sau
Phần cách li sẽ thay 4 con opto thành 2 con IR2110, a namqn cho e hỏi 2 chân Vb và Vs có tác dụng gì

Nếu em dùng phía cao là 2 MOSFET kênh P thì mạch kích vẫn sai, vì em phải kéo chân G của MOSFET kênh P xuống mức áp thấp hơn chân S để nó dẫn.

Nếu dùng phía cao là 2 MOSFET kênh P thì IR2110 lại không thích hợp, vì nó có một floating driver (bộ kích có áp trôi tự do) cho một MOSFET kênh N ở phía cao. Các chân Vb và Vs là hai chân nguồn của bộ floating driver đó, nó dùng mạch bootstrap để nạp điện tích cho tụ bootstrap nằm giữa Vb và Vs, điện tích đó dùng để kích cho MOSFET phía cao.

Chú ý là IR2110 không dùng để cách ly nhé.

Thân,

Mạch hôm qua em vẽ dùng 2con MOSFET kênh P và 2 con kênh N, ko dùng IR2110. Anh nói sai ở 2 con kênh P em ko hiểu lắm anh giải thích cụ thể

http://i71.photobucket.com/albums/i1...an/Hbridge.png

Anh namqn xem dùm em mạch có sai chổ nào ko em dùng 4 con MOSFET kênh N và 2 con IR2I10. Em nghĩ là chân Vb1 nối lên 24V còn chân Vs1 sẽ nối với DONGCO1 (Vs2 DONGCO2, trong mạch em quên ko ghi rõ chân Vb 1/2 Vs1/2). Em up luôn file dsn anh namqn có thể sửa trên file giúp em

http://i71.photobucket.com/albums/i1.../Hbridge-1.jpg

Với MOSFET kênh P thì gate của nó phải âm hơn source thì nó mới dẫn, điện áp source dương hơn điện áp drain để MOSFET dẫn dòng từ source đến drain. Với mạch kích của em thì làm sao kéo gate âm so với source?

Mạch kích của em dùng IR2110 có nhiều chỗ sai, chúng ta cần 4 tín hiệu kích riêng biệt cho 4 khóa, không thể nối thẳng các Vb vào Vcc(+24V) vì như vậy thì Vb không thể bay lên điện thế cao hơn Vcc để kích cho các khóa phía cao. Anh sẽ vẽ mạch kích cụ thể rồi post lên đây.

Anh không dùng OrCAD, chỉ dùng Proteus và Eagle, nên nếu ai đó dùng phần mềm khác với hai phần mềm trên thì nên post ảnh chụp của sơ đồ.

Một vấn đề nữa nhân tiện cũng nói luôn, không biết có bạn nào biết được các loại mạch kích tương tự như IR2110 hiện có tại thị trường VN, nếu có bạn nào nắm được thông tin về chúng thì xin hãy post lên để chúng ta có nhiều phương án lựa chọn.

Thân,

Link trực tiếp của em đến hình "http://elm-chan.org/works/smc/smc3.png" có vẻ không ổn (ít nhất là với anh, vì nhấn vào link đó thì bị redirect đến trang "http://www.pir.org/", anh phải dùng "http://elm-chan.org" rồi sau đó theo các mênu để đến phần smc). Link "http://elm-chan.org/works/smc/report_e.html" thì chạy tốt.

Thân,

Chỗ này anh nói không hoàn toàn chính xác, nếu chúng ta dùng khóa phía thấp của một nửa cầu để tạo đường dẫn dòng, và khóa phía cao của nửa cầu còn lại dùng để điều rộng xung thì vẫn có thể dùng tốt các mạch kích như IR2110. Như anh đã nói ở trên, chúng ta cần xác định các yêu cầu đối với mạch kích rồi mới chọn mạch kích, nhưng nếu thị trường VN chỉ có mỗi con IR2110 thì đành phải dùng nó (dù rằng với bài toán của chúng ta mà dùng nó thì quá phí).

Dùng các mạch kích như IR2110 còn có một thuận lợi là chúng ta chỉ cần một nguồn nuôi cho tất cả mạch kích (không cần giải pháp nhiều biến áp nhỏ hay nhiều nguồn một chiều cách ly).

Thân,

Theo anh namqn thì 2 con MOSFET kênh P em mắc thêm điện trở nhỏ khoản 22ohm giửa Zener và chân Gate của FET là tạo được áp gate nhỏ hơn S là ok rồi phải ko anh

Vấn đề ở mạch kích của em là khi transistor của opto dẫn thì nó sẽ kéo G của MOSFET kênh P lên mức +24V, là mức áp mà chân S đang nối vào, do đó Vgs sẽ là 0 V, còn khi transistor của opto không dẫn thì cực G của MOSFET kênh P được thả nổi.

Anh đã nói là sẽ vẽ và post các mạch lên rồi mà.

Thân,

Ở mình còn con IR2103 anh ạ, :) dưng mà giá vẫn thế trong khi con này kém hơn IR2110 rất nhiều, mạch ứng dụng IR2110 có thể serach ra rất nhiều, các bạn hãy tự tìm hiểu kĩ càng trước khi đặt các câu hỏi, cần tự thân vận động đã chứ.

Mạch ở trang ELM là lý tưởng nếu muốn chỉ sử dụng các linh kiện cơ bản.

Mạch cầu H điển hình dùng IR2110, và các MOSFET kênh N. Các linh kiện chưa có giá trị vì sẽ tính toán sau.

Thân,

Con này có thời gian trễ khá lớn (điển hình 2 us, tối đa 5 us), tuy thời gian lên/xuống có khá hơn (điển hình 0.2/0.1 us, tối đa 1 us). Dòng ra DC tối đa 0.5A, cũng có thể dùng được.

Rất cám ơn bạn đã cung cấp thông tin, bạn nào khác có những thông tin tương tự thì xin hãy post lên, chúng tôi xin chân thành cám ơn những đóng góp của các bạn.

Thân,

Theo mạch của anh namqn, nếu em đk bằng 2 PWM bù nhau thì em sẻ đưa PWM1 vào chân Q1 và Q4, PWM2 vào chân Q3 và Q2 (mạch của em vẽ thì IR2110 thứ nhất sẽ đk 1 chiều: đk 2 con MOSFET Q1 và Q4, con thứ hai sẽ đk chiều ngược lại Q3 và Q2 ->nên em mới đưa PWM1 vào cả 2 chân Hin và Lin của IR2110).

Em đọc bài đó của anh rồi, vì em chưa làm PWM theo 2 pha bù nhau nên em định làm theo cách đó, PWM từ 0-100% thì em đã làm cho đồ án của em với mạch FET_RELAY.

Em thấy trong mạch cũa anh chân mass của cầu H nên tách ra khỏi chân mass của 12V đưa vào IR2110.

Như vậy chân CCP2 (RC1) của pic có thể nối trực tiếp với chân Q1, và 1 chân khác của pic (RC0) sẽ kick cho Q4 luôn dẫn dòng. Khi theo chiều ngược lại thì đảo lại RC1 cho Q3 và RC0 cho Q2.

Em tách ra thì hai con MOSFET phía thấp sẽ kích như thế nào? Em nói tách chân Vss và COM của IR2110 thì nghe còn hợp lý.

Kích qua IR2110 thì có thể dùng chân vi điều khiển nối trực tiếp với IR2110(mức ngưỡng logic ngõ vào của IR2110 là 3.3V).

Thân,

Em tính thử điện trở theo công thức này

http://i71.photobucket.com/albums/i1...ppan/Rgate.jpg

voi Ls=7.5nH, Ciss=890pF thì Rgate=5.8ohm chưa trừ cho (Rdrv+Rg,i) như vậy sau khi trừ xong có nhỏ quá ko anh namqn

trong công thức tính tụ

http://i71.photobucket.com/albums/i1...pan/Cbst-1.jpg

Q(g), Q(rr) có trong datasheet
Dmax/fdrv em nghĩ là thời gian đóng hoặc mở ton và toff
I(bst) em ko biết cách tính
delta V(bst)=V(bst)-V(uvlo) em ko biết V(uvlo), V(bst) em nghĩ là hiệu Vb và Vs của IR2110 nhưng ko biết làm sao có giá trị

Các giá trị em lấy từ datasheet em up lên

Giá trị của Ls phải kể luôn cả điện cảm của phần mạch in, vì không thể có khoảng cách bằng 0 giữa ngõ ra của mạch kích và các chân G, S của MOSFET. Khả năng làm mạch in tốt nhất của bọn em có thể đạt điện cảm của phần mạch in bằng khoảng 20 nH. Như vậy, tính gộp điện cảm đầu nối của MOSFET và điện cảm của mạch in, em phải dùng giá trị 27.5 nH khi tính điện trở.

Dmax là chu kỳ nhiệm vụ cực đại của MOSFET phía cao (vì đang tính cho phía cao). Qg là của MOSFET, còn Qrr là của diode nối vào mạch bootstrap.

Vbst là điện áp nạp cực đại cho tụ (lấy bằng áp nguồn nối vào phía thấp trừ cho sụt áp trên diode của mạch bootstrap). Vuvlo là ngưỡng điện áp khóa mạch kích khi thấp áp, có trong datasheet của IR2110.

Ibst như đã giải thích ở dientuvietnam, là tổng của dòng rò qua diode bootstrap, dòng cung cấp cho bộ dịch mức, dòng cung cấp cho mạch lái, và dòng kích cho MOSFET.

Thân,

Anh namqn có thể cung cấp link topic về Ibst trong dientuvietnam, em lên đó kiếm nhưng ko thấy (có thể chưa kĩ).
Qrr em nghĩ là của IRF vì trong datasheet diode ko có.
Theo như anh namqn nói thì em có thể tính Rgate=15ohm

Anh sphinx có thể cung cấp đaị chỉ mua IR2110 ở HN ko, ở Nhật Tảo ko có ->ai đã xài IR2110 giúp em với

Em đọc post #14 ở luồng này:
http://www.dientuvietnam.net/forums/...?t=2993&page=2

Rgate chưa trừ (Rdrv+Rg,i) thì là 11 ohm chứ, Rdrv thì có giá trị trong datasheet của mạch kích (IR2110 chẳng hạn), còn Rg,i thì thường không có trong datasheet của MOSFET.

Qrr là của diode bootstrap, đó là điện tích cần thiết để diode bootstrap trở lại trạng thái khóa sau khi đã dẫn dòng nạp cho tụ bootstrap. Với các diode phục hồi nhanh, chẳng hạn như 1N4933 - 1N4937 thì điện tích đó có thể lấy bằng 75 nC, với các diode thường như 1N4001 - 1N4007 thì điện tích đó có thể gấp 5 đến 10 lần. Do đó, cần chú ý khi chọn diode bootstrap, nếu tụ bootstrap cỡ 1 uF trở lại thì chỉ nên dùng loại 1N4148 nếu không tìm được loại fast reverse recovery.

Thân,

Rgate thì em ko hiểu nếu làm mạch tốt nhất là 20nH vậy thì điện cảm tăng lên khi làm mạch trong đkiện khác Rgate khi chưa trừ là 11ohm nhưng khi điện cảm tăng thì Rgate phaỉ lớn hơn vậy -> chọn 12ohm được ko anh

Em đọc datasheet của HIP4081 thấy có thể bỏ qua Ibst (em ko biết tính như thế nào thấy bỏ qua mừng quá). Theo vd trong datasheet em chọn 1N4007 dòng xung trong 1 bán kỳ hình sin (8.3 ms) là 30uA ta có Qrr=124.5nC, Qg=65nC datasheet IRF540, Vbst=9.7 Vuvlo=9.4 datasheet IR2110-> Cbst=631.7nF. Em cũng tính thử với 1N4148 nhưng lại ko được Qrr=0.01pC.

Nếu không đạt được điều kiện chiều dài mạch vòng là nhỏ nhất thì điện cảm sẽ cao hơn 20 nH, khi đó sẽ cần dùng Rgate lớn hơn. Nhưng phải chú ý đây là giá trị điện trở tổng của mạch vòng, chúng ta chỉ thêm vào một điện trở với giá trị bằng Rgate - (Rdrv + Rg,i). Không may là datasheet của IR2110 cũng không cho biết giá trị Rdrv. Nhưng nếu cần thiết thì chúng ta vẫn có thể đo được Rdrv của IR2110 một cách gián tiếp, còn Rg,i thì thường không có trong datasheet của MOSFET. Dù sao thì em vẫn có thể chọn điện trở thêm vào là khoảng 10 ohm.

Ibst không thể bỏ qua được, vì nó là dòng tổng của nhiều thành phần hiển nhiên tồn tại trong mạch, và các thành phần đó hoặc được cho trong datasheet, hoặc có thể tính được từ mạch kích. Qrr tính như em là không đúng, vì đó là khả năng chịu dòng xung của 1N4007 (30A trị đỉnh của một bán kỳ dòng hình sin, kéo dài 8.3 ms). Với 1N4148 thì có thể bỏ qua Qrr (chỉ khoảng 100 pC là tối đa).

Còn một chỗ nữa cần nói, Vulvo = 9.4 là đúng rồi, còn Vbst phải là Vcc - Vd (áp rơi trên diode).

Thân,

Trong datasheet 1N400 ở dưới có Irr= 30uA và theo time 8.3ms (em ko sử dụng giá trị Ifsm=30A) em tính ra Qrr=124.5nC
Vbst=Vcc-Vd=12-1.1=10.9, Vd 1N4007 1.1V (datasheet ghi là Vf)
Ibst=Ilk,d+Iq,ls+Iq.drv+Igs
Igs=Vgs/Rgs=3/50=0.06 A (datasheet IR2110)
Iq,drv em nghĩ đo trện mạch
Iq,ls em ko thấy trong datasheet IR2110 (trong datasheet có Iqbs là gì vậy anh namqn)
Ilk datasheet diode ko có
ton,max = ton,rise+ton,delay = 38+9 =47ns (datasheet IRF540)
->Khi chưa tính Iq,drv; Id,ls; Ilk ta có Cbst=128.88nF

Em vẫn nhầm lẫn nhiều chỗ.
Irr (không biết em dùng datasheet của hãng nào) = 30 uA là dòng rò khi diode bị phân cực ngược, hoàn toàn khác với dòng điện phục hồi ngược cực đại. Dòng điện phục hồi ngược cực đại phụ thuộc vào lượng điện tích trong tiếp giáp p-n khi diode dẫn dòng thuận, do đó dòng điện phục hồi này ít nhiều phụ thuộc vào dòng điện dẫn khi phân cực thuận. Trường hợp xấu thì ta lấy bằng dòng định mức khi phân cực thuận.

Ilk,d chính là Irr mà em dùng nhầm ở trên.

Với IR2110, Iqbs = Iq,ls + Iq,drv, là dòng điện nguồn (dòng tĩnh) để nuôi bộ dịch mức và mạch lái (chưa tính dòng điện từ mạch lái đến gate của MOSFET, vì cái này tùy vào loại MOSFET đang dùng).

Igs là dòng điện trung bình để nạp điện tích cho MOSFET trong một chu kỳ, tính bằng công thức Igs = Qg*fs, Qg là điện tích gate của MOSFET, fs là tần số chuyển mạch của cầu H (có lẽ chúng ta sẽ chuyển mạch ở 25 kHz)

Ton,max tính từ tần số chuyển mạch và Dmax (chu kỳ nhiệm vụ cực đại), ví dụ với Dmax = 0.8, fs = 25 kHz thì Ton,max = Dmax/fs = 0.8/25000 = 32 us.

Cái ton,max mà em đã tính là thời gian đáp ứng kể từ khi có tín hiệu đóng MOSFET từ mạch điều khiển, đến khi MOSFET đóng.

Thân,

Anh namqn Irr trong datasheet ghi la maximum full load reverse curent, Full cycle -> em nghĩ là đúng chứ anh
Ibst=Ilk,d +Iqbs +Igs
Iqbs= 125uA
Igs=Qg*fs=65nc*20Khz=1.3uA fs=20Khz vì chân CPP pic có tần số 19.53Khz

ton,max =Dmax/fs =0.8/20khz=40us (Dmax này em chọn là 1 được ko, đọc bài anh viết trên dientuvietnam thì ko thể chạy 100% chu kì vậy Dmax bao nhiêu là dc)

Cbst=0.13uF

Các datasheet em dử dụng em up lên

To sphinx: thanks, em đã mua được IR2110

Reverse current và reverse recovery current là hai thứ hoàn toàn khác nhau. Anh đã giải thích trong post trước rồi, em đọc kỹ lại đi.

Igs phải là 1300 uA hay 1.3 mA!

Nếu dùng ít hơn 8 bit cho PWM thì có thể dùng 25 kHz.

Dmax cứ lấy là 0.8 đi, coi như chúng ta điều rộng từ khoảng 0.1 hay 0.2 đến 0.8 thôi.

Thân,

Em chọn Dbst là 1N4148 từ đó tính Cbst
Qg=65nC. Qrr bỏ qua, Ilk,d=10uA, Iqbs=125uA, Igs=1.3mA, ton,max=40us, Vuvlo=9.4V, Vbst=15-1=14V ->Cbst= 0.027uF
Giá trị C1,C2=Cbst, C3,C4 trong datasheet IR2110 vẽ nhưng ko đưa giá trị. Các R5-R8 chịu dòng cho zener15V chưa có giá trị

http://i71.photobucket.com/albums/i1...an/Hbridge.jpg

Cbst mà em tính ra là giá trị tối thiểu, nên chọn C1, C2 bằng khoảng 10 đến 15 lần giá trị Cbst (theo khuyến cáo của hãng International Rectifier). Với C3, C4, mỗi giá trị nên thực hiện bằng một tụ 0.1 uF (ceramic) + một tụ 1 uF (tantalum nếu có thể).

Các điện trở R5-R8 để chống latch-up cho MOSFET, có thể chọn 4.7 k.

Thân,

http://i32.photobucket.com/albums/d2...tnam/L298N.jpg

Gửi cái schema này thiết kế cho con L298N, đang định làm nó để chuẩn bị cho phòng thí nghiệm ở HCM và HN. Xin anh Nam cho ý kiến luôn về các giá trị tụ trở mắc kèm theo.

Mạch này làm xong thì bé bằng 2 ngón tay, dài bằng 2 đốt tay (đã bao gồm cục tản nhiệt to oạch phía sau).

Chúc vui.

Nếu làm cho phòng thí nghiệm thì em nên để 4 tín hiệu kích độc lập nhau, như vậy có thể thí nghiệm kích theo nhiều kiểu khác nhau.

Các ngõ vào của L298N là dạng TTL, do đó không cần làm phức tạp hóa mạch đâu em. Em có thể bỏ phần mạch R, C, và D ở các chân input của L298N.

Nếu nguồn đã ổn áp thì C7 không cần lớn, vài uF là được. C8 cũng chỉ cần vài uF, nếu có tụ tantalum thì nên dùng (lọc nhiễu cho phần logic của L298N).

Rs thì phải chọn tùy theo cỡ dòng điện qua mạch cầu H của L298N. Nếu dòng max cỡ 1A thì có lẽ chọn 0.1 ohm (sẽ cần có một mạch khuếch đại dùng OPAMP loại rail-to-rail input).

Mạch lọc mắc song song với Rs thì có thể dùng R = 220 ohm, C = 1 nF.

Thân,

Trong mạch F dùng L298N vừa post có Rs dùng cho phản hồi dòng điện đó, em tham khảo thêm phần trả lời của anh để chọn giá trị cho điện trở cảm nhận dòng và mạch lọc cho nó.

Thân,

Rs mắc giữa chân isenA và mass, mạch cầu H thì mình sẽ mắc Rs như thế nào anh

Trong L298N cũng là một mạch cầu H mà em.

Mắc Rs giữa âm nguồn và điểm nối các chân S của các MOSFET phía thấp.

Thân,

anh Namqn ơi, có thể giải thích rõ hơn vai trò của chân sens trong mạch cầu được không ? ta đã dùng encoder để hồi tiếp tốc độ động cơ rồi thì thêm chân sens có ý nghĩa gì vậy anh. Em đọc trong datasheet của cầu LM18200 thì thấy nó nói rằng độ nhạy là 377uA/1A, để tối ưu độ chính xác và tuyến tính thì phải chọn điện trở giữa chân sens này với mas sao cho điện áp giới hạn giữa chân sens này với mas là 5V, và trong thiết kế đó thì nó chọn điện trở 2K. em mắc thử thì thấy mạch vẫn chạy tốt. mong anh giải thích thêm,
mến


Cái phần R, C, D là để chống ngắn mạch. Mạch này đã kiểm tra rất tốt. Nếu đang chạy, chập hai dòng vào nhau, lập tức nó kéo tín hiệu điều khiển ngõ vào xuống 0. Có nghĩa là khoá thẳng ở ngõ vào luôn, cho dù ngõ ra chân vi điều khiển đang ở mức cao. Bảo vệ cả L298 và vi điều khiển.

Về phần nối chung chân, vì em đi mạch in chỉ nhỏ bằng 2 ngón tay và dài bằng hai đốt ngón tay. Gần như rất khít (đã bao gồm tản nhiệt), nên em gôm chung lại luôn.

Nếu thiết kế thì có thể kéo chân ra test board để cắm. Em dự tính làm thêm một cái dãy test board cắm chân, để thực hành trong phòng thí nghiệm với các thiết bị trung bình, như kiểu động cơ.

Em sẽ suy nghĩ lại phần thiết kế để thực hành cho đơn giản nhất.

Thanks anh

http://www.picvietnam.com/forum//showthread.php?t=79

Các bạn xem thêm bài viết trong luồng này để hiểu về hoạt động của R,C,D ở ngõ vào. Bài này viết lâu lắm rồi, và mạch này được dùng trong robot của F khi làm đề tài tốt nghiệp. Nó làm to oạch vì lý do cũng như các bạn, thời sinh viên, F không có nhiều điều kiện, mạch in đặt miễn phí ở phòng làm mạch in BK HCM, không phủ gì cả. Hồi đó phòng này mới thành lập, chưa làm được lỗ in nhỏ, chưa phủ xanh được. Bây giờ thì không biết thế nào rồi. Ai có thông tin về phòng làm mạch in này hiện nay, xin cung cấp cho mọi người biết.

Chú ý, trong mạch này, lúc đó không tìm được Schotky, cho nên dùng 1N4007, và nó chỉ cho phép tối đa 3-5KHz thôi. Đây là bộ điều khiển không tốt. Trong mạch mới mà F đưa lên, dùng UC3611 thì nó có thể nâng tần số lên. Việc điều khiển ở 7.8KHz như trong báo cáo, là làm lụi theo kiểu thực hành, vì đưa lên 7.8KHz còn thấy chấp nhận được nên làm. Tuyệt đối anh em không bắt chước làm mấy cái trò lụi này của F nhé.

Chúc vui

Mạch phản hồi dòng em dùng 2 con diode (nối từ 2 chân jump động cơ vào chân Rs) mắc với mạch Rs, thì diode đó có cần phải phục hồi nhanh hay chỉ cần 1N4007.
Nguyên lý của mạch phản hồi dòng có phải là tạo ra điện áp trên Rs để PIC đọc ADC ko anh. Nếu như vậy thì Vref=5V thì em nghĩ Rs=Vref/Imax

Anh Nam, mạch phản hồi dòng của em 2 con diode d7,d8 là diode thường hay phục hồi nhanh ko anh.
Anh có thể giải thích thêm cách chọn Rs

http://i71.photobucket.com/albums/i1...ridgesense.jpg

Em đặt Rs không đúng rồi, xem lại hình gửi kèm nhé.

Nếu chọn Rs để áp rơi cực đại trên nó bằng với Vref của ADC thì chúng ta tổn thất quá nhiều điện áp (áp nguồn chỉ có 24V). Do đó chúng ta thường chỉ chọn Rs để áp rơi ứng với dòng cực đại là khoảng 1V trở lại, và chúng ta sẽ dùng một mạch khuếch đại để nâng mức áp đó lên trước khi đưa nó vào ADC của PIC. Vì tầm điện áp là từ 0V đến 1V (chẳng hạn), các OPAMP dùng trong mạch khuếch đại sẽ cần có rail-to-rail input.

Tính ví dụ, chọn 1V là áp cực đại, dòng cực đại qua Rs là 2A, vậy Rs = 1/2 = 0.5 ohm (công suất trên điện trở này là 1V*2A = 2W!). Nếu để áp trên Rs cực đại là 5V, với dòng cực đại là 2A, thì công suất tiêu tán trên điện trở này là 5V*2A = 10W!! Hy vọng các bạn hình dung ra vấn đề.

Thân,

Post này đọc rồi mà lại quên trả lời.

Chân sense để phản hồi giá trị dòng điện, có thể dùng để bảo vệ quá tải, ngắn mạch, cũng có thể dùng để tính toán trong một số phương pháp điều khiển, vì dòng điện qua động cơ tỷ lệ với mômen điện từ sinh ra trong động cơ.

Giải thích về chân sense của LMD18200: có 2 cảm biến dòng điện sẽ cảm nhận dòng điện qua 2 MOSFET phía cao, sau đó đưa vào mạch ổn định và tạo dòng ở chân sense của vi mạch. Chúng ta sẽ mắc một điện trở chuẩn vào giữa chân này và 0V để tạo áp rơi tỷ lệ với dòng điện (dùng cho các mạch điều khiển, giới hạn dòng).

Với LMD18200 thì chân sense của nó cho phép chúng ta chọn ngưỡng dòng để tác động, vì giá trị điện trở khác nhau sẽ tạo ra áp rơi khác nhau. Nguyên tắc cảm nhận dòng điện của LMD18200 khác với cách chúng ta làm ở đây (có lẽ nó đang dùng cảm biến Hall, do đó mới có thông số độ nhạy 377 uA/A). Nếu chúng ta dùng điện trở Rs như trong các mạch cầu H đang được thực hiện ở đây thì độ nhạy sẽ là 1A/1A (chúng ta dùng giá trị thực của dòng điện).

Giá trị 2k mà họ dùng đảm bảo điều kiện áp rơi không quá 5V so với GND, do đó mạch chạy tốt là đương nhiên.

Thân,