|
Tài trợ cho PIC Vietnam |
Tự giới thiệu Dành cho các thành viên hoặc các đơn vị kỹ thuật tự giới thiệu |
|
Ðiều Chỉnh | Xếp Bài |
17-04-2012, 09:20 PM | #11 |
Đệ tử 1 túi
Tham gia ngày: Aug 2005
Bài gửi: 13
: |
Nhờ bạn lấy hộ những bài này:
A physically based mobility model for MOSFET numerical simulation http://dx.doi.org/10.1109/T-ED.1987.22924 A physically based mobility model for numerical simulation of nonplanar devices http://dx.doi.org/10.1109/43.9186 Analytical charge-control and I-V model for submicrometer and deep-submicrometer MOSFETs fully comprising quantum mechanical effects http://dx.doi.org/10.1109/43.918208 Theory of the Monte Carlo method for semiconductor device simulation http://dx.doi.org/10.1109/16.870569 Cảm ơn bạn. |