Trích:
Nguyên văn bởi scentoflove
Em tính thử điện trở theo công thức này
voi Ls=7.5nH, Ciss=890pF thì Rgate=5.8ohm chưa trừ cho (Rdrv+Rg,i) như vậy sau khi trừ xong có nhỏ quá ko anh namqn
trong công thức tính tụ
Q(g), Q(rr) có trong datasheet
Dmax/fdrv em nghĩ là thời gian đóng hoặc mở ton và toff
I(bst) em ko biết cách tính
delta V(bst)=V(bst)-V(uvlo) em ko biết V(uvlo), V(bst) em nghĩ là hiệu Vb và Vs của IR2110 nhưng ko biết làm sao có giá trị
Các giá trị em lấy từ datasheet em up lên |
Giá trị của Ls phải kể luôn cả điện cảm của phần mạch in, vì không thể có khoảng cách bằng 0 giữa ngõ ra của mạch kích và các chân G, S của MOSFET. Khả năng làm mạch in tốt nhất của bọn em có thể đạt điện cảm của phần mạch in bằng khoảng 20 nH. Như vậy, tính gộp điện cảm đầu nối của MOSFET và điện cảm của mạch in, em phải dùng giá trị 27.5 nH khi tính điện trở.
Dmax là chu kỳ nhiệm vụ cực đại của MOSFET phía cao (vì đang tính cho phía cao). Qg là của MOSFET, còn Qrr là của diode nối vào mạch bootstrap.
Vbst là điện áp nạp cực đại cho tụ (lấy bằng áp nguồn nối vào phía thấp trừ cho sụt áp trên diode của mạch bootstrap). Vuvlo là ngưỡng điện áp khóa mạch kích khi thấp áp, có trong datasheet của IR2110.
Ibst như đã giải thích ở dientuvietnam, là tổng của dòng rò qua diode bootstrap, dòng cung cấp cho bộ dịch mức, dòng cung cấp cho mạch lái, và dòng kích cho MOSFET.
Thân,