Trích:
Nguyên văn bởi scentoflove
Trong datasheet 1N400 ở dưới có Irr= 30uA và theo time 8.3ms (em ko sử dụng giá trị Ifsm=30A) em tính ra Qrr=124.5nC
Vbst=Vcc-Vd=12-1.1=10.9, Vd 1N4007 1.1V (datasheet ghi là Vf)
Ibst=Ilk,d+Iq,ls+Iq.drv+Igs
Igs=Vgs/Rgs=3/50=0.06 A (datasheet IR2110)
Iq,drv em nghĩ đo trện mạch
Iq,ls em ko thấy trong datasheet IR2110 (trong datasheet có Iqbs là gì vậy anh namqn)
Ilk datasheet diode ko có
ton,max = ton,rise+ton,delay = 38+9 =47ns (datasheet IRF540)
->Khi chưa tính Iq,drv; Id,ls; Ilk ta có Cbst=128.88nF
|
Em vẫn nhầm lẫn nhiều chỗ.
Irr (không biết em dùng datasheet của hãng nào) = 30 uA là dòng rò khi diode bị phân cực ngược, hoàn toàn khác với dòng điện phục hồi ngược cực đại. Dòng điện phục hồi ngược cực đại phụ thuộc vào lượng điện tích trong tiếp giáp p-n khi diode dẫn dòng thuận, do đó dòng điện phục hồi này ít nhiều phụ thuộc vào dòng điện dẫn khi phân cực thuận. Trường hợp xấu thì ta lấy bằng dòng định mức khi phân cực thuận.
Ilk,d chính là Irr mà em dùng nhầm ở trên.
Với IR2110, Iqbs = Iq,ls + Iq,drv, là dòng điện nguồn (dòng tĩnh) để nuôi bộ dịch mức và mạch lái (chưa tính dòng điện từ mạch lái đến gate của MOSFET, vì cái này tùy vào loại MOSFET đang dùng).
Igs là dòng điện trung bình để nạp điện tích cho MOSFET trong một chu kỳ, tính bằng công thức Igs = Qg*fs, Qg là điện tích gate của MOSFET, fs là tần số chuyển mạch của cầu H (có lẽ chúng ta sẽ chuyển mạch ở 25 kHz)
Ton,max tính từ tần số chuyển mạch và Dmax (chu kỳ nhiệm vụ cực đại), ví dụ với Dmax = 0.8, fs = 25 kHz thì Ton,max = Dmax/fs = 0.8/25000 = 32 us.
Cái ton,max mà em đã tính là thời gian đáp ứng kể từ khi có tín hiệu đóng MOSFET từ mạch điều khiển, đến khi MOSFET đóng.
Thân,