Thiết kế mạch cầu H để truyền động động cơ DC (trích lọc)

**chuongfriendly** · 10-04-2008, 06:22 PM

theo như Thầy, trong mạch kích IRF540 dùng IR21271. em chọn điện trở kích Rg=68Ω, kết quả như sau:

hình 1: Vgs rise

hình 2: Vgs fall

hình 3: Vds

hình 4: Ids

nhận xét: với Rg=68Ω thì
- dạng sóng kích đóng và kích khóa rất đẹp. nhưng có vẻ như thời gian đóng và ngắt này hơi lâu (trên 1us)
- thời gian để MOSFET chuyển từ trạng thái đóng sang ngắt khoảng 700ns là khá lớn so với T_rise IR540 là dưới 50ns!

thời gian chuyển trạng thái đóng ngắt càng lâu thì MOSFET càng nóng và tổn hao càng lớn. nên em thử với giá trị điện trở khác là Rg=34Ω. kết quả như sau:

hình 5: Vgs rise

hình 6: Vds

nhận xét: với Rg=34Ω thì
-thời gian nạp kích nạp cho cực G nhanh hơn. tuy nhiên, dạng sóng nạp tuy có dao động nhưng vẫn chưa đủ lớn để đưa MOSFET từ vùng dẫn bão hòa về vùng khuyếch đại.
-thời gian kích đóng MOSFET cũng nhanh hơn. tuy nhiên, dạng sóng Vds dao động khá lớn.
-việc chọn Rg tối ưu giúp giảm tổn hao, nhưng còn dòng điện Ids thì chỉ phụ thuộc vào tải. vì vậy, sự dao động của dòng tải là không thể điều khiển được bằng driver?

trên là kết quả thí nghiệm và một số nhận xét chủ quan của em. Thầy nhận thấy những nhận xét đó có gì chưa phù hợp không? Thầy có bổ sung gì để giúp em hiểu rõ hơn không?
em cám ơn Thầy vì đã dành thời gian trả lời thắc mắc của em.

10-04-2008, 06:22 PM	#11
chuongfriendly Nhập môn đệ tử Tham gia ngày: Jan 2008 Bài gửi: 5 :	kết quả sau khi test. theo như Thầy, trong mạch kích IRF540 dùng IR21271. em chọn điện trở kích Rg=68Ω, kết quả như sau: hình 1: Vgs rise hình 2: Vgs fall hình 3: Vds hình 4: Ids nhận xét: với Rg=68Ω thì - dạng sóng kích đóng và kích khóa rất đẹp. nhưng có vẻ như thời gian đóng và ngắt này hơi lâu (trên 1us) - thời gian để MOSFET chuyển từ trạng thái đóng sang ngắt khoảng 700ns là khá lớn so với T_rise IR540 là dưới 50ns! thời gian chuyển trạng thái đóng ngắt càng lâu thì MOSFET càng nóng và tổn hao càng lớn. nên em thử với giá trị điện trở khác là Rg=34Ω. kết quả như sau: hình 5: Vgs rise hình 6: Vds nhận xét: với Rg=34Ω thì -thời gian nạp kích nạp cho cực G nhanh hơn. tuy nhiên, dạng sóng nạp tuy có dao động nhưng vẫn chưa đủ lớn để đưa MOSFET từ vùng dẫn bão hòa về vùng khuyếch đại. -thời gian kích đóng MOSFET cũng nhanh hơn. tuy nhiên, dạng sóng Vds dao động khá lớn. -việc chọn Rg tối ưu giúp giảm tổn hao, nhưng còn dòng điện Ids thì chỉ phụ thuộc vào tải. vì vậy, sự dao động của dòng tải là không thể điều khiển được bằng driver? trên là kết quả thí nghiệm và một số nhận xét chủ quan của em. Thầy nhận thấy những nhận xét đó có gì chưa phù hợp không? Thầy có bổ sung gì để giúp em hiểu rõ hơn không? em cám ơn Thầy vì đã dành thời gian trả lời thắc mắc của em.