Thiết kế mạch cầu H để truyền động động cơ DC (trích lọc)

**namqn** · 01-10-2007, 12:11 AM

Phần lài ra mà bạn đề cập là thời gian cực gate của MOSFET phía dưới được nạp điện tích. Tuy nhiên, theo hình mà bạn chụp thì nó là khoảng 6 us (không phụ thuộc vào tần số chuyển mạch) thì là bất thường. Theo datasheet của IR2110, IRF540, điện trở gate của bạn là 10 ohm, và áp Vcc là 15V, thì thời gian này chỉ khoảng vài chục ns.

Bạn so sánh xung kích cho HIN và LIN của IR2110 đang dùng làm PWM trên cùng một trục thời gian xem thế nào.

Thân,

01-10-2007, 12:11 AM	#10
namqn Trưởng lão PIC bang Tham gia ngày: Feb 2006 Nơi Cư Ngụ: Tp. HCM, Việt Nam Bài gửi: 3,025 :	Phần lài ra mà bạn đề cập là thời gian cực gate của MOSFET phía dưới được nạp điện tích. Tuy nhiên, theo hình mà bạn chụp thì nó là khoảng 6 us (không phụ thuộc vào tần số chuyển mạch) thì là bất thường. Theo datasheet của IR2110, IRF540, điện trở gate của bạn là 10 ohm, và áp Vcc là 15V, thì thời gian này chỉ khoảng vài chục ns. Bạn so sánh xung kích cho HIN và LIN của IR2110 đang dùng làm PWM trên cùng một trục thời gian xem thế nào. Thân, __________________ Biển học mênh mông, sức người có hạn. Đang gặp vấn đề cần được giúp đỡ? Hãy dành ra vài phút đọc luồng sau: http://www.picvietnam.com/forum/showthread.php?t=1263