Thiết kế mạch cầu H để truyền động động cơ DC (trích lọc)

[namqn]

Nguyên văn bởi scentoflove

Rgate thì em ko hiểu nếu làm mạch tốt nhất là 20nH vậy thì điện cảm tăng lên khi làm mạch trong đkiện khác Rgate khi chưa trừ là 11ohm nhưng khi điện cảm tăng thì Rgate phaỉ lớn hơn vậy -> chọn 12ohm được ko anh

Em đọc datasheet của HIP4081 thấy có thể bỏ qua Ibst (em ko biết tính như thế nào thấy bỏ qua mừng quá). Theo vd trong datasheet em chọn 1N4007 dòng xung trong 1 bán kỳ hình sin (8.3 ms) là 30uA ta có Qrr=124.5nC, Qg=65nC datasheet IRF540, Vbst=9.7 Vuvlo=9.4 datasheet IR2110-> Cbst=631.7nF. Em cũng tính thử với 1N4148 nhưng lại ko được Qrr=0.01pC.

Nếu không đạt được điều kiện chiều dài mạch vòng là nhỏ nhất thì điện cảm sẽ cao hơn 20 nH, khi đó sẽ cần dùng Rgate lớn hơn. Nhưng phải chú ý đây là giá trị điện trở tổng của mạch vòng, chúng ta chỉ thêm vào một điện trở với giá trị bằng Rgate - (Rdrv + Rg,i). Không may là datasheet của IR2110 cũng không cho biết giá trị Rdrv. Nhưng nếu cần thiết thì chúng ta vẫn có thể đo được Rdrv của IR2110 một cách gián tiếp, còn Rg,i thì thường không có trong datasheet của MOSFET. Dù sao thì em vẫn có thể chọn điện trở thêm vào là khoảng 10 ohm.

Ibst không thể bỏ qua được, vì nó là dòng tổng của nhiều thành phần hiển nhiên tồn tại trong mạch, và các thành phần đó hoặc được cho trong datasheet, hoặc có thể tính được từ mạch kích. Qrr tính như em là không đúng, vì đó là khả năng chịu dòng xung của 1N4007 (30A trị đỉnh của một bán kỳ dòng hình sin, kéo dài 8.3 ms). Với 1N4148 thì có thể bỏ qua Qrr (chỉ khoảng 100 pC là tối đa).

Còn một chỗ nữa cần nói, Vulvo = 9.4 là đúng rồi, còn Vbst phải là Vcc - Vd (áp rơi trên diode).

Thân,